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J-GLOBAL ID：201002249735454740   整理番号：10A1465415

窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性

Frequency Characteristics of Vacuum Transistor Using Hafnium Nitride Field Emitter Array

著者 (4件)： 池田啓太 (京大 大学院工学研究科) ,  大上航 (京大 大学院工学研究科) ,  後藤康仁 (京大 大学院工学研究科) ,  辻博司 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 249(ED2010 128-141)  ページ： 47-50  発行年： 2010年10月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フィールドエミッタアレイ(FEA)を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため,約40,000-tipのゲート電極一体型窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイ(HfN-FEA)を作製し,その能動素子としての特性を評価した。真空トランジスタはこのゲート電極一体型HfN-FEAとコレクタ電極を合わせた三極管構造である。今回報告の真空トランジスタでは,引き出し電圧58Vにおいて,コレクタ電流1.1mA,相互コンダクタンスとして0.27mS,コレクタ抵抗として2.8MΩ,電圧増幅率として750の値を得た。また,実際に交流信号を入力した場合,100kΩの負荷から電圧利得として29dB,その周波数特性としては1MHzのGB積を得た。また,等価回路からの計算により,理論的にはGB積として36MHzの値が期待できることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： ハフニウム化合物 ,  窒化物 ,  アレイ ,  エミッタ【半導体】 ,  *電界放出 ,  *トランジスタ ,  周波数特性 ,  ゲート【半導体】 ,  電流 ,  コレクタ【半導体】 ,  増幅器 ,  利得 ,  *電子源
準シソーラス用語： コレクタ電流 ,  フィールドエミッタアレイ ,  *窒化ハフニウム ,  電圧利得

分類 (2件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• SPINDT, C. A. J. Appl. Phys. 1976, 47, 5248
• KOSMAHL, H. G. IEEE Trans. on ED. 1989, 36, 2728
• SUBRAMANIAN, K. IEEE Electron Device Letters. 2008, 29, 1259
• PIERSON, H. O. Handbook of Refractory Carbides and Nitrides : Properties, Characteristics, Processing and Applications. 1996
• 川島. 第52回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2005. 2005, 866

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化ハフニウム ,  フィールドエミッタアレイ ,  真空 ,  トランジスタ ,  周波数特性