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J-GLOBAL ID：201002249764017154   整理番号：10A0449409

分子ビームエピタクシーで成長させたInSbNの性質に及ぼす熱処理の影響

Effect of thermal annealing on properties of InSbN grown by molecular beam epitaxy

著者 (5件)： LIM K. P. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  PHAM H. T. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  YOON S. F. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  NGO C. Y. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR, 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  TRIPATHY S. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR, 3 Res. Link, Singapore 117602)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 16  ページ： 161903  発行年： 2010年04月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長させたInSbN膜の性質に及ぼす焼なましの影響を調べた。約1×10¹⁸から素子レベルの約2×10¹⁶cm^-3への電子濃度の低下とN誘起引張歪のシフトとにより,N-N格子間原子の形におけるドナー欠陥の消滅を示唆した。N-N格子間欠陥とSb逆位置欠陥の低下に対応する特徴はRamanスペクトルに明白に現れた。本研究は長波長赤外光検出器の研究に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  窒化物 ,  アンチモン化合物 ,  インジウム化合物 ,  *焼なまし ,  歪 ,  格子間原子 ,  Ramanスペクトル ,  赤外検出器 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 引張歪 ,  電子濃度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  性質 ,  熱処理