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J-GLOBAL ID：201002249773497509   整理番号：10A0702128

ペンタセン有機薄膜トランジスタのゲート誘電体の原子状水素焼なまし

Atomic Hydrogen Annealing of Gate Dielectric in Pentacene Organic Thin-Film Transistors

著者 (4件)： HEYA Akira (Univ. Hyogo, Hyogo) ,  SATO Masahiko (Univ. Hyogo, Hyogo) ,  HASEGAWA Hiroshi (Univ. Hyogo, Hyogo) ,  MATSUO Naoto (Univ. Hyogo, Hyogo)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 61  号： 7  ページ： 548-549  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子状水素焼なまし(AHA)と名づけた低温表面処理法による前処理を行ったSiO₂/Si(111)基板上に真空蒸着により形成したペンタセン有機薄膜トランジスタ(OTFT)の特性を調べた。AHA処理においては水素分子を基板近傍に位置する加熱した触媒上で接触分解して原子状水素を生成させる。基板は原子状水素が分子に還元される再結合エネルギーにより加熱される。1500°CのW線を触媒として用いて基板にAHA処理(1800秒)を行った。基板の最高温度は110°Cであった。AHA処理を行ったSiO₂表面の化学結合状態をXPS法により調べた。表面性状の変化を原子間力顕微鏡により調べた。表面の水との接触角を測定した。AHA処理によりSiO₂の表面エネルギーは42から39dyne/cmに増大した。ペンタセン有機薄膜トランジスタ(OTFT)の閾値電圧は基板のAHA処理により無処理の場合と比較して65から16Vに低減し,電流のオンオフ比は10から100に向上した。AHA処理による効果はSiO₂およびSiO₂/Si基板の界面からの原子状水素による負電荷の除去に関連する。

シソーラス用語： *水素 ,  *焼なまし ,  *薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  *二酸化ケイ素 ,  *基板 ,  表面処理 ,  前処理 ,  *接触分解 ,  タングステン ,  *表面エネルギー ,  *電圧 ,  比率 ,  *酸化膜 ,  ポリアセン ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： Siウエハ ,  オンオフ比 ,  *原子状水素 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *閾値電圧

分類 (3件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (11件)：

• 1) I. Kymissis, C. D. Dimitrakopoulos and S. Purushothaman ; IEEE Trans. Electron Devices, 48, 1060 (2001).
• 2) F. D. Angelis, S. Cipolloni, L. Mariucci and G. Fortunato ; Appl. Phys. Lett., 86, 203505 (2005).
• 3) A. S. Killampalli and J. R. Engstrom ; Appl. Phys. Lett., 88, 143125 (2006).
• 4) M. W. Lee and C. K. Song ; Jpn. J. Appl. Phys., 42, 4218 (2003).
• 5) J. W. H. Smith and I. G. Hill: J. Appl. Phys., 101, 044503 (2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： ペンタセン ,  有機薄膜トランジスタ ,  ゲート誘電体 ,  原子状水素 ,  焼なまし