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J-GLOBAL ID：201002249798851552   整理番号：10A0988548

パワー半導体のオンウエーハ測定技術〈B1505A Power Device Analyzer/Curve Tracer〉

著者 (1件)： 谷口純 (アジレント・テクノロジー・インターナショナル)
資料名： 計測技術  (Instrumentation and Automation)
巻： 38  号： 11  ページ： 43-49  発行年： 2010年10月05日 
JST資料番号： S0852A  ISSN： 0385-9886  CODEN： KEGIDR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電力変換効率の向上には,低オン抵抗,高耐圧低リーク等の特性が要求される。従来のSi主材料では,オン抵抗や耐圧性能での改良の余地が少ない。代わりに,SiC,GaN等が候補となっており,開発の速度を上げるにはウエーハレベルで特性を評価する必要がある。先ず,半導体のウエーハレベルでの評価の課題について述べ,オンウエーハ測定技術につき,当社の「B1505A Power Device Analyser/Curve Tracer」が,ウエーハレベルでの評価のためにプローバーとの接続を考慮して開発されたこと,プローバーと接続しての測定・評価の場合の課題や評価の内容等を,大電流測定,高電圧測定,高電圧容量測定の場合で解説した。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *半導体素子 ,  *ウエハ【IC】 ,  *計測 ,  電流測定 ,  プローブ ,  接触抵抗 ,  電圧測定
準シソーラス用語： *パワー半導体 ,  *オンウエーハ測定 ,  パワーデバイス

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (1件)： パワー半導体