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J-GLOBAL ID：201002249859946403   整理番号：10A1026848

カチオン置換したBiFeO₃セラミックの漏れ電流特性

Leakage Current Properties of Cation-Substituted BiFeO₃ Ceramics

著者 (6件)： ABE Kazutomo (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SAKAI Noriyoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAKAHASHI Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ITOH Hidenobu (Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  ADACHI Nobuyasu (Nagoya Inst. of Technol., Gifu, JPN) ,  OTA Toshitaka (Nagoya Inst. of Technol., Gifu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 9,Issue 2  ページ： 09MB01.1-09MB01.6  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共沈させて700~900°Cで仮焼した粉末を焼結してカチオンドープのBiFeO₃セラミックを作製し,焼結した試料の漏れ電流に及ぼすカチオンドーピングの影響を調べた。この研究でのドーパント実験の内,Ti⁴⁺,Sn⁴⁺,又はZr⁴⁺ドーピングは試料の漏れ電流を効果的に減少させることが分かった。特に10%Ti^4;ドーピングで漏れ電流密度が著しく減少し,菱面体から立方へ構造も変化した。Ti⁴⁺/Zn²⁺又はTi⁴⁺/Ni²⁺イオンの同時ドーピングは2%と少量のドーピングでバルク試料の漏れ電流密度が減少した。これは基本的に試料中の酸素空孔数の減少に寄与するTi⁴⁺ドーピング,及びFe³⁺サイトのTi⁴⁺均一置換を助長するZn²⁺又はNi²⁺ドーピングの協同効果で説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 材料 ,  磁気電気効果 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  カチオン ,  *添加物効果 ,  セラミック ,  *漏れ電流 ,  構造相転移 ,  添加 ,  空格子点 ,  格子定数 ,  磁気ヒステリシス ,  反強磁性
準シソーラス用語： マルチフェロイック ,  *ビスマスフェライト ,  同時添加 ,  酸素空孔

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (30件)：

• W. Prettier, M. P. Singh, and P. Murugavel: J. Phys.: Condens. Matter 17(2005) R803.
• G. A. Smolenskii, V. M. Yudin, E. S. Sher, and Y. E. Stolypin: Soy. Phys. JETP 16(1963)622.
• R. Ramesh and N. A. Spaldin: Nat. Mater.6(2007)21.
• J. F. Scott: Nat. Mater.6(2007)256.
• M. Bibes and A. Barthelemy: IEEE Trans. Electron Devices 54(2007)1003.

タイトルに関連する用語 (5件)： カチオン ,  置換 ,  BiFeO3 ,  セラミック ,  漏れ電流