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J-GLOBAL ID：201002249916263660   整理番号：10A0334093

周期的パルスプラズマ励起化学気相成長により調製したGe-Sb-Te膜の特性

Characteristics of Ge-Sb-Te Films Prepared by Cyclic Pulsed Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： SUK Kyung-Suk (Chonnam National Univ., Gwang-Ju, KOR) ,  JUNG Ha-Na (Chonnam National Univ., Gwang-Ju, KOR) ,  WOO Hee-Gweon (Chonnam National Univ., Gwang-Ju, KOR) ,  PARK Don-Hee (Chonnam National Univ., Gwang-Ju, KOR) ,  KIM Do-Heyoung (Chonnam National Univ., Gwang-Ju, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 5  ページ： 3354-3356  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge{N(CH₃)(C₂H₅)},Sb(C₃H₇)₃,Te(C₃H₇)₃を前駆体として用いて175~250°Cの温度および1Torrの圧力で垂直流反応装置においてSi,SiO₂/SiおよびTiN/Si基板上にGe-Sb-Te(GST)膜を堆積した。225°Cより高い温度ではGST膜はSiおよびSiO₂よりもTiNへの選好を示した。225°Cより上では孤立したGST粒子だけが観測された。GST膜の表面形態,粗さ,抵抗率,結晶度,そして組成に対する堆積温度の効果を吟味した。TiN上に堆積されるGST膜の結晶粒寸法は堆積温度の上昇とともに増大し,より高い低積温度は堆積物の表面粗さを増加させる傾向を示した。本研究で調製された膜はGeドープSb₂Teだった。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  プラズマ ,  *テルル化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  タンタル化合物 ,  窒化物 ,  表面構造 ,  *表面粗さ ,  *電気抵抗率 ,  結晶度 ,  基板温度
準シソーラス用語： パルスプラズマ ,  窒化タンタル ,  表面形態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスプラズマ ,  励起 ,  化学気相成長 ,  調製 ,  Ge ,  Sb ,  Te