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J-GLOBAL ID：201002249997550294   整理番号：10A0526490

Sbに富むGaSb(001)表面の安定化における表面のアンチサイト欠陥の自然形成

Spontaneous Formation of Surface Antisite Defects in the Stabilization of the Sb-Rich GaSb(001) Surface

著者 (3件)： HOGAN Conor (Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  MAGRI Rita (Universita di Modena e Reggio Emilia, Modena, ITA) ,  DEL SOLE Rodolfo (Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 104  号： 15  ページ： 157402.1-157402.4  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アンチモン化ガリウム ,  *表面 ,  安定化 ,  化合物半導体 ,  格子欠陥 ,  アンチモン ,  二量体 ,  *表面再構成 ,  準安定相 ,  ab initio法 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  電子計数則

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sb ,  GaSb ,  安定化 ,  アンチサイト欠陥