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J-GLOBAL ID：201002250099673353   整理番号：10A0938306

内部光電流利得を有するZnOに基づく光検出器

ZnO-based photodetector with internal photocurrent gain

著者 (7件)： KOSYACHENKO L. A. (Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR) ,  LASHKAREV G. V. (Inst. for Problems of Material Sci., NASU, Kiev, UKR) ,  SKLYARCHUK V. M. (Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR) ,  IEVTUSHENKO A. I. (Inst. for Problems of Material Sci., NASU, Kiev, UKR) ,  SKLYARCHUK O. F. (Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR) ,  LAZORENKO V. I. (Inst. for Problems of Material Sci., NASU, Kiev, UKR) ,  ULYASHIN A. (SINTEF Materials and Chemistry, Oslo, NOR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 8  ページ： 1972-1977  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 内部利得ゆえに1(100%)を越える量子効率をもつNi/n-ZnO/p-Si構造の光検出器を提案した。この構造は光電流を増幅する光トランジスタの機能も備えていて,ZnO層の厚さが光トランジスタおよび少数キャリア寿命時間に基本的な役割を果たす。Ni/n-ZnO/p-Si構造において,5V以下の中程度のバイアス電圧で数百を越える利得を得ることができた。内部利得は本質的に信号対雑音比を増大させ,雑音等価電力を減少させた。調べた構造の応答時間は約10^-7sであった。本研究のNi/n-ZnO/p-Si構造で結果は文献中に報告されている光電流増倍を伴うMISおよびSISトンネルダイオードの主特性とは一致しなかった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ニッケル ,  *ケイ素 ,  PN接合 ,  *ヘテロ接合 ,  光電流 ,  少数キャリア ,  キャリア寿命 ,  量子効率 ,  *光検出器 ,  フォトトランジスタ ,  SN比 ,  応答時間

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電流利得 ,  ZnO ,  光検出器