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J-GLOBAL ID:201002250234868194   整理番号:10A0937374

高電力GaN系発光ダイオード用のチップからヒートシンクへの熱処理の最適化

Optimized Thermal Management From a Chip to a Heat Sink for High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes
著者 (7件):
資料名:
巻: 57  号:ページ: 2203-2207  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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サファイア系発光ダイオード(LED)の放熱を改善するため,チップパッケージ用ダイアモンド添加AgSnCuはんだ材料の有望なダイ接合材料を提案した。高熱伝導性金属コア印刷回路板(MCPCB)を作製し,カップ形放熱器と組み合わせることにより,デュアル放熱器設計による新型LEDパッケージを開発した。第1の放熱器はチップ自身の放熱を増大させるためサファイアと直接接触したカップ形銅(Cu)シートである。第2の放熱器はダイアモンド添加AgSnCuはんだとMCPCBのダイ接合材料である。提案した方法を用いてLEDを作製し,LED熱抵抗の減小と光出力電力を改善できた。
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分類 (2件):
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発光素子  ,  プリント回路 

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