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J-GLOBAL ID：201002250293087775   整理番号：10A1467867

一様な電場内に置かれたシリコンにおける電子-正孔雪崩とストリーマ放電の時間発展に関する数値シミュレーション

Numerical Simulation of Evolution of Electron-Hole Avalanches and Streamers in Silicon in a Uniform Electric Field

著者 (1件)： KYUREGYAN A. S. (All-Russia Electrical Engineering Inst., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 10  ページ： 1266-1274  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のシミュレーションの際に,印加した電場は軸対称性を有し,バックグラウンドの電子や正孔は無いと仮定した。また,シミュレーションは,衝突とトンネリングによるイオン化,Auger再結合,および電子-正孔散乱を考慮した拡散-ドリフト近似の枠内で行った。イオン化エネルギー,再結合速度,拡散係数および電子と正孔のドリフト移動度に関しては最も現実的な値を採用した。電子-正孔雪崩とストリーマ放電の時間発展に関する数値シミュレーションの結果は,以前に電子と正孔に関する輸送係数が等しい仮想的な半導体において得られた計算結果と矛盾しないことが判明した。これらの係数の非対称性は変化の初期の段階においてのみ現れることが分かった。しかし,時間の経過に伴って,二つの指数関数的な自己相似ストリーマが形成され,正面電荷の符号と伝播方向のみが異なることが明らかになった。また,変化に関する最も重要な段階におけるストリーマの主要なパラメータである電場(0.34~0.75MV/cm)に対する経験的な依存性を導出することができた。

シソーラス用語： *ストリーマ ,  *電子正孔対 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  電場 ,  均一性 ,  計算機シミュレーション ,  衝突イオン化 ,  トンネル効果 ,  再結合 ,  キャリア散乱 ,  速度 ,  輸送係数
準シソーラス用語： Auger再結合 ,  再結合速度

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電場 ,  シリコン ,  電子 ,  正孔 ,  雪崩 ,  ストリーマ放電 ,  発展 ,  数値シミュレーション