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J-GLOBAL ID：201002250502367411   整理番号：10A1119018

high-κ/金属ゲートトランジスタ上パッド領域中アセンブリー応力の機構

Assembly-Stress-Mechanism in Pad Areas on High-k/Metal gate Transistors

著者 (8件)： OTA Yukitoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ITOH Fumito (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIKAWA Kazuhiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  HAGIHARA Kiyomi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  MATSUMOTO Takeshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  IWASE Teppei (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ITOH Yutaka (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  HIRANO Hiroshige (Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010  ページ： 83-84  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： μmピッチで配列したhigh-κ/金属ゲートトランジスタアレイの特性変化を評価することにより,フリップチップパッケージのパッド領域中アセンブリー応力の機構について解明した。このパッド領域中アセンブリー応力機構は,1)ポリイミド膜(PI)の収縮により生じる,PI開口端でのアンダーバンプメタル(UBM)段への局所応力集中,2)アンダーフィル樹脂(UF)の収縮により生じる,半田バンプへの総合応力であった。また,アセンブリー応力の温度依存性を示すとともにその機構を解明した。これらの応力は,UFのガラス転移温度(T_g)とUBM形成温度間で緩和されることを示した。以上の検討に基づき,UBM段のない新構造を提案し,この新構造を用いて,アセンブリー応力を30%低減できることを予測した。

シソーラス用語： バイアホール ,  *多層配線 ,  誘電率 ,  *ゲート【半導体】 ,  ウエハ【IC】 ,  リング発振器 ,  *MOSFET ,  *バンプ ,  超小形回路技術 ,  *応力解析 ,  温度依存性 ,  ガラス転移点 ,  パッド
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  金属ゲート ,  UBM

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属ゲート ,  トランジスタ ,  パッド ,  アセンブリー ,  応力