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J-GLOBAL ID:201002250506079429   整理番号:10A0677202

Ag/Si(100)-c(6×2)表面の原子と電子構造 第一原理研究

Atomic and electronic structures of Ag/Si(100)-c(6×2) surface: A first-principles study
著者 (10件):
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巻: 604  号: 17-18  ページ: 1400-1405  発行年: 2010年08月30日 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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主に走査型トンネル顕微鏡観察にて得た実験データを用いて,密度汎関数理論計算を適用して,Ag/Si(100)-c(6×2)再構成の原子構造を調べた。最上Si原子二量体の列と列間の溝を組込んだ類似Si(100)基板再構成を持つ一組の構造モデルを提案した。1/6から1MLまでの様々なAg被覆率を持つ約20個のモデルの安定性を試験して,妥当と思われるモデル数を四個に絞った。これらの四モデルのうちの二つは「規則的」固有Ag/Si(100)-c(6×2)再構成に帰されるが,他の二つはその欠陥誘起修正に帰される。後者は欠陥とドメイン境界近くの局所領域で観察され,3×2周期性を表す。計算結果を実験STM像と比較し,Si(100)基板再構成は硬いが,Agサブシステムは軽く結合した可動Ag原子の存在のため柔軟であると結論付けた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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金属の表面構造  ,  表面の電子構造 

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