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J-GLOBAL ID：201002250651717131   整理番号：10A0387516

高速フレキシブルプラスチック基板ZnO回路

Fast Flexible Plastic Substrate ZnO Circuits

著者 (3件)： ZHAO Dalong (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  MOUREY Devin A. (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  JACKSON Thomas N. (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 323-325  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFTs)は,ディスプレイ用としてアモルファスシリコンTFTsに代わる高性能で安定性あるデバイスとして期待されている。本稿では,プラズマ強化原子層蒸着(PEALD)法を使い,200°Cでポリイミド基板上に15ステージZnO TFTリング発振器を製作した。このZnO TFTは,電界効果移動度が20cm²/V・sであった。15ステージリング発振器は,電源電圧V_DD=18Vで>2MHzで動作した。これは伝搬遅延<20ns/ステージに相当する。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  液晶ディスプレイ ,  化学蒸着 ,  ポリイミド ,  リング発振器 ,  キャリア移動度 ,  伝搬特性 ,  *酸化亜鉛 ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： TFT液晶ディスプレイ ,  ZnO ,  *原子層蒸着 ,  酸化物半導体 ,  伝搬遅延

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： プラスチック基板 ,  ZnO