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J-GLOBAL ID：201002250838607402   整理番号：10A1539499

ピエゾ電気共鳴デバイスのためのエピタキシャル3C-SiC(100)上に成長したAlN薄膜

AlN thin films grown on epitaxial 3C-SiC (100) for piezoelectric resonant devices

著者 (6件)： LIN Chih-ming (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  LIEN Wei-cheng (Berkeley Sensor and Actuator Center, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  FELMETSGER Valery V. (OEM Group Inc., Gilbert, Arizona 85233, USA) ,  HOPCROFT Matthew A. (Berkeley Sensor and Actuator Center, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  SENESKY Debbie G. (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  PISANO Albert P. (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 141907  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300-450°Cの温度で交流反応性マグネトロンスパッタリングを用いて,Si(100)上のエピタキシャル立方晶窒化シリコン(3C-SiC)上にC軸方向に高度に配向したヘテロエピタキシャル窒化アルミニューム(AlN)を成長させた。得られたAlN膜をX線回折,走査電子顕微鏡,および透過電子顕微鏡でキャラクタライズした。2ポート表面音響素子をAlN/3C-SiCコンポジット構造上に組み立て,期待したRayleighモードは高い音速5200m/sを示した。この結果はピエゾ共鳴素子を製作するためにエピタキシャル3C-SiC上のAlNを利用することができることを実証するものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *スパッタ蒸着 ,  立方晶系 ,  基板 ,  窒化ケイ素 ,  *ヘテロエピタクシー ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  *弾性表面波素子 ,  Rayleigh波 ,  *効果
準シソーラス用語： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  *圧電効果

分類 (3件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ピエゾ電気 ,  共鳴 ,  エピタキシャル ,  3C-SiC ,  成長 ,  AlN ,  薄膜