文献

J-GLOBAL ID：201002250918164803   整理番号：10A0555117

有機金属分解により作製したBi₄Ti₃O₁₂とBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂強誘電体薄膜の比較研究

A comparative study on Bi₄Ti₃O₁₂ and Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂ ferroelectric thin films derived by metal organic decomposition

著者 (3件)： XUE Kan-hao (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Colorado, Colorado Springs, Colorado 80918, USA) ,  PAZ DE ARAUJO Carlos A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Colorado, Colorado Springs, Colorado 80918, USA) ,  CELINSKA Jolanta (Symetrix Corp., 5055 Mark Dabling Boulevard, Colorado Springs, Colorado 80918, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 10  ページ： 104123  発行年： 2010年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)及びBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂(BLT)強誘電体薄膜の結晶方位及び電気特性を調べた。Pt(111)基板上に化学量論のBIT及びBLT試料を堆積し,750°Cで混合方位に結晶化させた。このBIT試料は(117)成分があるa/b軸方位を示すが,BLT試料はよりc軸配向であった。このBIT及びBLTの2P_r値はそれぞれ34,3μC/cm²及び25.7μC/cm²であった。すれにも拘らずBLTは漏れ電流及び分極飽和特性が選りすぐれている。c軸配向のBIT薄膜を得るために,過剰ビスマスを用いた。ビスマスが15%過剰で750°C処理をしたBITは純粋なc軸配向で2P_r値はわずか4.9μC/cm²であるが,ビスマス15%過剰のBLT試料では18.3μC/cm²であった。これはBITの大きな分極異方性に関係し,この異方性はランタンドーピングにより減少できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ビスマス化合物 ,  *チタン酸塩 ,  ドーピング ,  ランタン ,  溶液成長 ,  *誘電体薄膜 ,  結晶化 ,  結晶方位 ,  優先配向 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  飽和 ,  ビスマス ,  過剰成分 ,  異方性 ,  漏れ電流 ,  残留分極 ,  抗電場
準シソーラス用語： 有機金属分解法

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属 ,  分解 ,  作製 ,  BI3 ,  強誘電体薄膜 ,  研究