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J-GLOBAL ID:201002250932644680   整理番号:10A0914957

GaAs-AlGaAs導波路における全内部反射に基づいてサブミクロンエッチングしたビームスプリッタ

Submicron Etched Beam Splitters Based on Total Internal Reflection in GaAs-AlGaAs Waveguides
著者 (2件):
資料名:
巻: 28  号: 13-16  ページ: 1938-1943  発行年: 2010年07月01日 
JST資料番号: H0922A  ISSN: 0733-8724  CODEN: JLTEDG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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従来の弱導波形導波路部品は,曲り半径や結合長の制限から大規模光集積に向かない。本論文ではその問題点を解決するため,AlGaAs-GaAs材料システム中にベンゾシクロブタンを満たしたエッチドビームスプリッタ(EBS)を設計製作し,特性を求めた。測定した特性を2Dおよび3DのFDTDシミュレーションと比較した。EBS特性に対する製作誤差の影響を,3D FDTDシミュレーションを用いて調べた。そして低損失EBS設計のための指針を示した。
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分類 (3件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  その他の光伝送素子  ,  光集積回路,集積光学 
物質索引 (1件):
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タイトルに関連する用語 (5件):
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