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J-GLOBAL ID：201002250999980286   整理番号：10A1070237

照明下でのGa-In-Zn-O薄膜トランジスタの負バイアス不安定性に及ぼす不動態層の影響

The Effect of Passivation Layers on the Negative Bias Instability of Ga-In-Zn-O Thin Film Transistors under Illumination

著者 (11件)： JUNG Ji Sim (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  LEE Kwang-Hee (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  SON Kyoung Seok (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  PARK Joon Seok (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Tae Sang (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  SEO Jong Hyun (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  JEON Jae-Hong (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  HONG Mun-Pyo (Korea Univ., Chungnam, KOR) ,  KWON Jang-Yeon (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  KOO Bonwon (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR) ,  LEE Sangyun (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi, KOR)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 11  ページ： H376-H378  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる不動態構造をもつガリウムインジウム亜鉛酸化物(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)をつくり,湿潤環境で照明温度応力を受けさせた。酸化ケイ素保護層上に更に窒化ケイ素を成長させると劣化を防ぐことができた。透過型電子顕微鏡観察により,比較的低温で成長した酸化ケイ素膜に高い細孔密度が認められ,これが外部湿分への迅速な拡散経路となっている。

シソーラス用語： 照明 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  不動態皮膜 ,  *不動態化 ,  湿度 ,  熱応力 ,  *酸化ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  薄膜成長 ,  細孔 ,  水分 ,  経路 ,  電圧 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 温度応力 ,  拡散経路 ,  湿分 ,  負バイアス温度不安定性 ,  閾値電圧

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 照明 ,  薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  不安定性 ,  不動態