文献

J-GLOBAL ID：201002251034791762   整理番号：10A0978322

酸化物系メモリの抵抗スイッチング機構の確率モデリング

Stochastic Modeling of the Resistive Switching Mechanism in Oxide-Based Memory

著者 (4件)： MAKAROV A. (TU Wien, Wien, AUT) ,  MAKAROV A. (Volgograd State Technical Univ., Volgograd, RUS) ,  SVERDLOV V. (TU Wien, Wien, AUT) ,  SELBERHERR S. (TU Wien, Wien, AUT)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 303-306  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の汎用メモリの最有望候補の一つが,抵抗ランダムアクセスメモリメモリ(RRAM)である。抵抗スイッチング現象が,TiO₂,HfO₂,Cu_xO,NiO,ZnOなど,数金属酸化物とドープ型SrTiO₂,ドープ型SrZrO₃,Pr_1-xCa_xMnO₃などのペロブスカイト酸化物において観測された。酸化物系RRAMの抵抗スイッチング機構の確率モデルについて検討した。このモデルは,酸化層中導電フイラメントに沿った酸素空位間の電子ホッピングに基づく。この確率方法により計算した電子占有確率の分布は,以前の結果と非常に良く一致した。特に,バイポーラ挙動に対し陰極近傍またはユニポーラ挙動に対し陽極近傍に低占有領域を形成することを示した。陽極と陰極近傍での電子占有確率の温度変動の計算により,温度を25°Cから200°Cに上昇した場合,低抵抗状態から高抵抗状態への不良フリーRRAMの高ロバスト性を示した。RRAM素子の性能最適化のため,その劣化機構を良く把握するために,提案した確率モデルを用いることができることを示した。

シソーラス用語： *確率モデル ,  *スイッチング ,  酸化物 ,  *電気抵抗 ,  *RAM【メモリ】 ,  酸化チタン ,  酸化ハフニウム ,  酸化銅 ,  酸化ニッケル ,  酸化亜鉛 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  アノード ,  カソード ,  ロバスト性 ,  占有率 ,  *温度依存性 ,  電気伝導
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  RRAM ,  ホッピング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物 ,  抵抗スイッチング ,  確率モデリング