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J-GLOBAL ID：201002251226216605   整理番号：10A0380282

Cu被膜の結晶粒成長の分子動力学シミュレーション-基板とCu原子間の密着強度の影響-

Molecular Dynamics Simulation of Grain Growth of Cu Film -Effects of Adhesion Strength between Substrate and Cu Atoms-

著者 (4件)： KATO Takatoshi (Graduate School of Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  NAGAI Takeshiro (Graduate School of Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  SASAJIMA Yasushi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  ONUKI Jin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 51  号： 4  ページ： 664-669 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si,Ti,W,Ru基板上のCu多結晶被膜の恒温焼鈍中の成長過程を分子動力学法で検討した。検討では,各基板とCuとの間の密着強度がそれら被膜の結晶化度と配向度の順位に及ぼす影響に焦点を当てた。低温(50K)での構造緩和の後の,種々の焼鈍温度での個々のCu原子の移動を分子動力学法を用いて計算した。被膜の結晶化度と配向度の順位を原子構造の2次元Fourier変換によって調査した。基板とCuとの間の密着強度が高い被膜ほど,(111)優先方位を持つCu被膜としての結晶化度と配向度の順位が高いということがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 結晶成長 ,  計算機シミュレーション ,  *付着強さ ,  *銅 ,  *金属薄膜 ,  恒温熱処理 ,  焼なまし ,  結晶化 ,  構造緩和 ,  原子構造 ,  優先配向 ,  加熱温度 ,  ケイ素 ,  チタン ,  タングステン ,  ルテニウム ,  多結晶 ,  *基板 ,  LSI【IC】
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (7件)：

• STEINHOGL, W. Phys. Rev. B. 2002, 66, 075414
• The International Technology Roadmap for Semiconductors. 2005
• FUJIKAWA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 2191
• UEDA, A. Molecular simulation -from classical to quantum methods-. 2003, 1-85
• IWASAKI, T. J. Mater. Res. 2001, 16, 1789-1794

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  被膜 ,  結晶粒成長 ,  分子動力学シミュレーション ,  原子 ,  密着強度