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J-GLOBAL ID：201002251289442460   整理番号：10A1012545

スパッタ蒸着InN膜の室温赤外光ルミネセンス

Room-temperature infrared photoluminescence from sputter-deposited InN films

著者 (4件)： SASAOKA Takashi (Graduate School of Engineering, Gunma Univ., Kiryu-shi, Gunma 376-8515, JPN) ,  MORI Masaki (Graduate School of Engineering, Gunma Univ., Kiryu-shi, Gunma 376-8515, JPN) ,  MIYAZAKI Takayuki (Graduate School of Engineering, Gunma Univ., Kiryu-shi, Gunma 376-8515, JPN) ,  ADACHI Sadao (Graduate School of Engineering, Gunma Univ., Kiryu-shi, Gunma 376-8515, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 6  ページ： 063538  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱InN膜を反応性rfマグネトロンスパッタリングによって,基板温度300°CでSi(100)及びガラス基板上に蒸着させた。InN膜は300Kにおいてn~4×10²⁰cm^-3の高い電子濃度を持つ。光学的バンドギャップは300Kにおいて~1.4eVと決定した。この値は,スパッタ蒸着iNn膜について以前報告されている値~2eVに比べてかなり小さい。室温において~1.3eVにピークを持つ強力な赤外光ルミネセンスが観測された。600°Cで乾燥N₂雰囲気中で熱的アニールを行うと,蒸着膜がウルツ鉱型INNから立方晶IN₂O₃に変化するが,引き続き可視光域(~2eV)でのPL発光を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  *赤外線 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板温度 ,  *光学ギャップ ,  熱処理

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ蒸着 ,  InN ,  室温 ,  赤外光 ,  ルミネセンス