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J-GLOBAL ID：201002251422027357   整理番号：10A0643731

電界エミッタとしてのウルツ鉱P-ドープしたGaN三角形微小チューブ

Wurtzite P-Doped GaN Triangular Microtubes as Field Emitters

著者 (9件)： FU Lu-Tang (Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sci., Shenyang, CHN) ,  CHEN Zhi-Gang (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  WANG Da-Wei (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  CHENG Lina (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  XU Hong-Yi (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  LIU Ji-Zi (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  CONG Hong-Tao (Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sci., Shenyang, CHN) ,  LU Gao Qing Max (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  ZOU Jin (Univ. Queensland, QLD, AUS)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 21  ページ： 9627-9633  発行年： 2010年06月03日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P-ドープしたGaN三角形断面の微小チューブの合成と性質を報告した。化学蒸着法を介してGaN微小チューブを合成でき,微小チューブはまっすぐで三角形断面をもつ六方晶だった。幅は0.5から1μm,壁厚さは数十nmだった。微小チューブ側面は[0001]面で,EDS元素分析ではGa,N,Pを含有していた。724nm付近の異常で安定な赤外発光を観察し,これはP-ドーピングの結果として起こり,このP-ドープGaN微小チューブの光学的ナノ材料としての可能性を示唆した。電界放出測定では高い安定性を有する~2.9V μm^-1を示し,P-ドープ,粗い表面小丘,独特な配置によって起こると示唆した。高い電界増強率,大きな電流密度と相まって有力な電界放出材としての利用可能性を示唆した。

シソーラス用語： *電極 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  *リン ,  *ドーピング ,  *微小管 ,  窒化ガリウム ,  六方晶系 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電界放出 ,  化学蒸着 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： *電界エミッタ

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界エミッタ ,  ウルツ鉱 ,  ドープ ,  GaN ,  三角形 ,  微小 ,  チューブ