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J-GLOBAL ID：201002251423178332   整理番号：10A0924540

製品不良:電圧のべき乗則か指数関数依存か?

Product Failures: Power-Law or Exponential Voltage Dependence?

著者 (6件)： HAGGAG Amr (Freescale Semiconductor, Texas) ,  FORBES Keith (Freescale Semiconductor, Texas) ,  ANDERSON Gary (Freescale Semiconductor, Texas) ,  BURNETT Dave (Freescale Semiconductor, Texas) ,  ABRAMOWITZ Peter (Freescale Semiconductor, Texas) ,  MOOSA Mohamed (Freescale Semiconductor, Texas)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 125-128  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来,指数関数依存性を用いることにより,製品不良の電圧加速をモデル化した。しかし,電圧スケーリングとともに,指数関数モデルでの電圧加速パラメータ(VAP)は,後工程または前工程での誘電破壊に対し,予想したようにV^-1とともに増した。これは,指数関数モデルが多分全く慎重過ぎるためであり,べき乗則が90nm以降のノードではより適正であるかもしれないことを示した。半導体90nm以降のノードでは,誘電破壊(ゲートまたは層間)が常に製品不良において重要な役割をし,非指数関数依存性とした場合,製品不良の電圧加速は,古典的指数関数依存性とは反対に,べき乗則依存性に向かうと予想することは不適正ではない。指数関数モデルを用い続けても,この理解から,製品不良率予測のために選択した指数関数VAPを用いて求めた,慎重的量を評価する助けとなることができることを示した。

シソーラス用語： 法則 ,  *絶縁破壊 ,  時間依存性 ,  *製品品質 ,  スケーリング【計数】 ,  消費電力 ,  *層間絶縁 ,  指数関数 ,  関数従属 ,  故障率 ,  *NMOS構造 ,  寿命試験 ,  高温試験 ,  動作分析
準シソーラス用語： べき乗則 ,  TDDB ,  電圧スケーリング ,  製品故障 ,  関数依存性 ,  HTOL

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 製品不良 ,  べき乗則 ,  指数関数