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J-GLOBAL ID：201002251437449541   整理番号：10A1337027

Ga³⁺-共ドープスカンジア安定化ジルコニアの結晶構造と酸素イオン電導度

Crystal Structure and Oxygen Ion Conductivity of Ga³⁺ Co-Doped Scandia-Stabilized Zirconia

著者 (10件)： OTA Yusuke (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Masaki (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  SAKURAGI Satomi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  IWAMA Yuki (Nagoya Municipal Industrial Res. Inst., Nagoya, JPN) ,  SONOYAMA Noriyuki (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Shoitiro (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  HIRANO Atsushi (Mie Univ., Mie, JPN) ,  IMANISHI Nobuyuki (Mie Univ., Mie, JPN) ,  TAKEDA Yasuo (Mie Univ., Mie, JPN) ,  YAMAMOTO Osamu (Mie Univ., Mie, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 11  ページ： B1707-B1712  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スカンジア安定化ジルコニア(ScSZ)に共ドープしたガリウムの相安定化ならびにイオン伝導性に対する影響について調べた。一連のガリウムドープScSZ,(ZrO₂)_0.89(Sc₂O₃)_0.11-x(Ga₂O₃)_x(0≦x≦0.07),をゾル-ゲル法により合成し,その相挙動をX線回折法により調べた。x=0.01~0.06のとき,ZrO₂)_0.89(Sc₂O₃)_0.11の立方晶相は室温で安定化され,低温での電導度が改善された。xの増加に伴い,立方晶相の電導度は調べた温度範囲でかなり減少した。電導度の減少は局所構造の変化に由来することを示した。局所構造の変化はRaman散乱分光法により確認した。電導度の温度依存性からイオン移動の活性化エンタルピーとドーパントイオン-酸化物イオン空格子の会合エンタルピーを得た。Sc³⁺をGa³⁺で置換することにより,会合エンタルピーは急激に減少し,イオン移動に対する活性化エンタルピーはGa³⁺含有量の増加に伴ってゆっくりと増加することが分かった。

シソーラス用語： *酸化ジルコニウム ,  *酸化スカンジウム ,  結晶構造 ,  X線構造解析 ,  アニオン ,  イオン伝導 ,  *ガリウム化合物 ,  *金属イオン ,  *ドーピング ,  電気伝導率 ,  イオン輸送
準シソーラス用語： *ガリウムイオン ,  *スカンジア安定化ジルコニア ,  酸素イオン ,  ガリウムドープスカンジア安定化ジルコニア ,  電導度 ,  イオン移動

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  スカンジア安定化ジルコニア ,  結晶構造 ,  酸素 ,  イオン電導度