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J-GLOBAL ID：201002251695868370   整理番号：10A1005122

酸化スズの低温原子層堆積

Low Temperature Atomic Layer Deposition of Tin Oxide

著者 (3件)： HEO Jaeyeong (Harvard Univ., Massachusetts) ,  HOCK Adam S. (Harvard Univ., Massachusetts) ,  GORDON Roy G. (Harvard Univ., Massachusetts)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 22  号： 17  ページ： 4964-4973  発行年： 2010年09月14日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい前駆体としてN²,N³-ジ-tert-ブチル-ブタン-2,3-ジアミドスズ(II)化合物C₁₂H₂₆N₂Snを合成した。過酸化水素との組合せにより酸化スズの低温(50°C)原子層堆積を検討した。Rutherford後方散乱,X線光電子スペクトル,X線回折,電子回折によりキャラクタリゼーションを行った。平滑で電気抵抗10^-2Ωcm,キャリア移動度7cm²/Vs,100nm膜の可視光透過率87.8%のナノ結晶膜を得た。

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *化学蒸着 ,  前駆体 ,  *スズ化合物 ,  化学合成 ,  *過酸化水素 ,  Rutherford後方散乱 ,  X線光電子スペクトル ,  X線回折 ,  電子回折 ,  電気抵抗 ,  キャリア移動度 ,  透過率 ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  *透明材料 ,  *スズ錯体 ,  アミド錯体
準シソーラス用語： *原子層堆積

分類 (3件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： (2S,3S)-N,N′-ジ-tert-ブチル-2,3-ブタンジアミン

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化スズ ,  低温 ,  原子層堆積