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J-GLOBAL ID：201002251759934569   整理番号：10A0378168

トランジスターを再発明するときである!

It’s Time to Reinvent the Transistor!

著者 (2件)： THEIS Thomas N. (IBM Res., NY, USA) ,  SOLOMON Paul M. (IBM Res., NY, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 327  号： 5973  ページ： 1600-1601  発行年： 2010年03月26日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロプロセッサーのクロック周波数は2005年頃に安定状態に達した。原因は,電界効果トランジスター(FET)の縮小を導いてきた単純な一定電場スケーリング規則の瓦解である。電力供給電圧が約1Vに据えられていると,クロック周波数の増大は支えられない電力散逸と熱発生の増大をもたらすだろう。電力散逸の隘路を決定的に破る唯一の方法は,動作電圧の一層の低減を容易にするようトランジスター動作の物理学を変えることである。FETのターンオンのシャープネスを増大させるもう一つの方法は,内部利得機構を組み込んで,ゲート電極上の微小な電圧震動が電流の流れをゲート制御する内部ポテンシャルのより大きな振動を惹起すようにすることである。SalahuddinとDattaは,DETの非線形性を改善するために集団的切替えがいかに利用できるかをsすことにより概念上の突破口を開いた。トンネルFETと強誘電ゲートFETは低電圧そして超低電力切替えを約束している。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *スケール則 ,  ターンオン ,  電圧 ,  *トンネル効果 ,  誘電体薄膜 ,  *絶縁膜 ,  *強誘電体 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： トンネルFET ,  強誘電ゲートFET ,  動作電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： トランジスター