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J-GLOBAL ID：201002251842290061   整理番号：10A0566505

Siドープβ-Ga₂O₃薄膜の光学的特性及び結晶性

Optical property and crystallinities of Si doped β-Ga₂O₃ thin films

著者 (10件)： TAKAKURA K. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  KOGA D. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  YONEOKA M. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  KUDOU T. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  HAYAMA K. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  SHIGAKI K. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H. (Kumamoto National Coll. of Technol., Kumamoto, JPN) ,  KAYAMOTO Y. (Koto Manufacturing Co. Ltd, Kumamoto, JPN) ,  SHIBUYA M. (Japan Gas Chemi, Kumamoto, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Techno Design Co. Ltd, Kumamoto, JPN)
資料名： 熊本高等専門学校研究紀要(CD-ROM)  (Research Reports of Kumamoto National College of Technology (CD-ROM))
号： 1  ページ： 99-102  発行年： 2009年12月 
JST資料番号： X0042B  ISSN： 1884-6742  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム及び酸素の化学的に豊富でエコロジー的な元素に存在する,太陽電池,フラットパネルディスプレイ,及び他の素子のためのβ-Ga₂O₃膜の透明電極を,焼結Ga₂O₃ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリングにより,石英あるいはシリコン基板上に成長させた。RFスパッタリング後の熱アニーリングにより,多結晶β-Ga₂O₃が成長した。平坦なβ-Ga₂O₃膜を得るために,スパッタリングにおいて,酸素を導入することが重要であった。エネルギーギャップに亘る光吸収係数は,Ar/O比の減少とともに増大した。Siの不純物も,成長膜中にドープした。光吸収係数の測定から,β-Ga₂O₃エネルギーギャップが,堆積膜におけるSi濃度の増加とともに増大すると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  β相 ,  透明導電膜 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  アニーリング【現象】 ,  多結晶 ,  酸素 ,  *光吸収 ,  エネルギーギャップ
準シソーラス用語： シリコン ,  石英基板 ,  シリコン基板

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドープ ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  光学的特性 ,  結晶性