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J-GLOBAL ID：201002252249124321   整理番号：10A0682361

標準0.18μm CMOSプロセスで製作した正孔注入型および電子注入型シリコンアバランシェフォトダイオード

Hole-Injection-Type and Electron-Injection-Type Silicon Avalanche Photodiodes Fabricated by Standard 0.18-μm CMOS Process

著者 (3件)： IIYAMA Koichi (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  TAKAMATSU Hideki (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  MARUYAMA Takeo (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 22  号： 9/12  ページ： 932-934  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子システム中のデータ伝送速度は,光伝送法を使うことにより増加させることができる。CMOSプロセスによるSiフォトダイオード(PDs)は,相互インピーダンス増幅器や電子回路のモノリシック集積用として期待されている。本稿では,標準0.18μm CMOSプロセスで製作したSiアバランシェフォトダイオード(APD)について報告した。正孔注入型および電子注入型APDに対して,最大アバランシェ利得は,それぞれ493と417であった。また,最大帯域幅は3.4GHzで,利得-帯域幅積は,それぞれ90GHzと180GHzであった。

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  キャリア注入 ,  半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  信号伝送 ,  半導体集積回路 ,  *光集積回路 ,  帯域幅 ,  データ伝送 ,  正孔注入 ,  電子注入 ,  MOS構造
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,  モノリシック集積回路 ,  光伝送

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 標準 ,  CMOSプロセス ,  製作 ,  正孔注入 ,  電子注入 ,  シリコン ,  アバランシェフォトダイオード