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J-GLOBAL ID：201002252271373050   整理番号：10A0794030

新しいハイブリッドシリコン-レジン高密度配線(HDI)基板の実証

Demonstration of a Novel Hybrid Silicon-Resin High Density Interconnect (HDI) Substrate

著者 (5件)： SMITH B. (Draper Lab., MA) ,  KWOK P. (Draper Lab., MA) ,  THOMPSON J. (Draper Lab., MA) ,  MUELLER A. (Draper Lab., MA) ,  RACZ L. (Draper Lab., MA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.2  ページ： 816-821  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度マルチチップモジュール(MCM)は,何年にも渡って小型化を実現してきたが,次世代のMCMとして高密度配線(HDI)の1つである統合超高密度(iUHD)配線がある。本稿では,パッケージの熱設計に対する小型化の影響とiUHDのハイブリッドシリコン/封止材料基板に起因した熱機械的応力を研究した。1次元熱解析,有限要素モデリングのシミュレーションにより,iUHDは接合-ボード間の熱抵抗をDraperのMCMに対し31%低減すること,通常のボールグリッドアレイ(BGA)に対し2~15倍改善することを明らかとした。また,低膨張封止材料を使用することで,基板に熱機械的に生じる応力が密着強度の測定値の少なくとも4倍以上小さくなった。これは熱サイクル後に機械的な不良が無くなった結果と一致した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *高密度実装 ,  重合体 ,  回路モジュール ,  熱設計 ,  小型化 ,  熱応力 ,  熱分析 ,  計算機シミュレーション ,  熱サイクル ,  *複合構造
準シソーラス用語： BGA ,  *シリコン基板 ,  *ハイブリッド構造 ,  ボールグリッドアレイ ,  マルチチップモジュール ,  レジン【樹脂】 ,  封止材料 ,  有限要素モデリング

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  レジン ,  高密度 ,  HDI ,  実証