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J-GLOBAL ID：201002252346227364   整理番号：10A0500969

スパッタリングによって作製した酸化インジウム薄膜におけるp型伝導

p-type conduction in sputtered indium oxide films

著者 (3件)： STANKIEWICZ Jolanta (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon and Departamento de Fisica de la Materia Condensada, CSIC-Universidad ...) ,  VILLUENDAS Francisco (Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Zaragoza, 50009 Zaragoza, ESP) ,  ALCALA Rafael (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon and Departamento de Fisica de la Materia Condensada, CSIC-Universidad ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 19  ページ： 192108  発行年： 2010年05月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素リッチな雰囲気の下で,マグネトロンスパッタリング法によって溶融石英基板上に堆積した真性酸化インジウム(IO)のp型伝導について報告する。高配向した(111)薄膜をX線回折,光吸収およびHall効果測定によって研究した。また,これらの薄膜上にp-nホモ接合を作製した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  P型半導体 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  石英 ,  優先配向 ,  X線回折 ,  Hall効果 ,  *PN接合 ,  電流電圧特性 ,  紫外吸収スペクトル ,  可視吸収スペクトル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング ,  作製 ,  酸化インジウム ,  薄膜 ,  P型伝導