文献

J-GLOBAL ID：201002252352771068   整理番号：10A0105842

エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工

Si substrate processing by ethanol cluster ion beam technique

著者 (4件)： 向井寛 (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  龍頭啓充 (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  竹内光明 (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  高岡義寛 (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 321(SDM2009 151-170)  ページ： 39-41  発行年： 2009年11月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン基板の微細加工の可能性を調べるために,フォトレジストおよびフォトレジストを塗付しテストパターンを露光したシリコン基板にエタノールクラスターイオンビームを照射して,その照射効果について調べた。エタノールクラスターイオンビーム照射によるシリコン基板とフォトレジストのスパッタリング深さは同程度であることが分かった。また,フォトレジストを塗付し,テストパターンを露光したシリコン基板にエタノールクラスターイオンビームを照射すると,テストパターンの形状を維持してエッチングされることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  *微細加工 ,  フォトレジスト ,  スパッタ蒸着 ,  イオンビーム ,  クラスタイオン ,  イオン照射 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  スパッタリング蒸着 ,  イオンビーム照射

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• YAMADA, I. Nucl, Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. 1999, 148
• RYUTO, H. Applied Phys. Express. 2009, 2, 016504
• HAGENA, O. F. J. Chem. Phys. 1972, 56, 1793
• TAKAOKA, G. H. Rev. Sci. Instrum. 2008, 79, 02B305

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン基板 ,  微細加工