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J-GLOBAL ID：201002252533023853   整理番号：10A0491008

金属-酸化物-半導体 電界効果トランジスタでの高温依存チャネル移動度に関する測定したSパラメータを用いた正確な抽出およびモデリング

Accurate Extraction and Modeling of High-Temperature-Dependent Channel Mobility in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Using Measured S-Parameters

著者 (3件)： KO Bonghyuk (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR) ,  JUNG Daehyoun (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR) ,  LEE Seonghearn (Hankuk Univ. Foreign Studies, Kyungki-do, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DC22.1-04DC22.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク金属-酸化物-半導体 電界効果トランジスタ(MOSFET)について,27~250°Cでの有効チャネル移動度の抽出に対して,全ドレイン-ソース抵抗の勾配抽出と,測定したSパラメータからの全ゲート電荷-マスクゲート長とに基づいた,改良したRF法を提示した。従来の方程式における高温モデリング誤差を消去するため,改良した温度依存チャネル移動度方程式も用いた。従来の方程式ではなくてこの改良した方程式を用いることにより,27~250°Cにおいて,測定した電子移動度データとの遥かに良い一致を達成し,この改良した方程式の正確さを証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  S行列 ,  *電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  周波数依存性 ,  モデリング
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  チャネル移動度 ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• N. Camilleri, J. Costa, D. Lovelace, and D. Ngo: IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 1993, p. 545.
• M. Emam, D. Vanhoenacker-Janvier, and J.-P. Raskin: Proc. IEEE Top. Meet. Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2009, p. 1.
• D. Arora and G. Gildenblat: IEEE Trans. Electron Devices 34(1987)89.
• N. Arora: MOSFET Modeling for VLSI Simulation Theory and Practice (World Scientific, Singapore, 2007) p. 314.
• S. Lee and H. K. Yu: IEEE Trans. Electron Devices 48(2001)784.

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  チャネル移動度 ,  Sパラメータ ,  モデリング