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J-GLOBAL ID：201002252720100942   整理番号：10A0548856

GaN電力増幅器設計に適した電子デバイスの非線形分散モデル化

Nonlinear Dispersive Modeling of Electron Devices Oriented to GaN Power Amplifier Design

著者 (7件)： RAFFO Antonio (Univ. Ferrara, Ferrara, ITA) ,  VADALA Valeria (Univ. Ferrara, Ferrara, ITA) ,  SCHREURS Dominique M.M.-P. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  CRUPI Giovanni (Univ. Messina, Messina, ITA) ,  AVOLIO Gustavo (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  CADDEMI Alina (Univ. Messina, Messina, ITA) ,  VANNINI Giorgio (Univ. Ferrara, Ferrara, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 58  号： 4  ページ： 710-718  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタの性能に影響を与える(熱的現象とトラップに起因した)低周波分散効果の非線形性を表す極めて一般的な理論式を導いた。導出した理論式は,他の文献で報告されている特定の条件のみに適合する各種のモデル群をも包括して説明でき,極めて一般的である。多くの実験データと比較して,マイクロ波GaN電力増幅器のデバイス設計に対し,導出した理論式の有効性を検証した。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *窒化ガリウム ,  固体素子 ,  解析モデル ,  数学モデル ,  モデリング ,  FET【トランジスタ】 ,  式 ,  マイクロ波 ,  非直線歪
準シソーラス用語： *GaN ,  モデル化 ,  電界効果トランジスタ ,  電子デバイス ,  非線形 ,  非線形歪 ,  分散モデル ,  理論式

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  電力増幅器 ,  設計 ,  電子デバイス ,  非線形 ,  分散モデル