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J-GLOBAL ID：201002252954256300   整理番号：10A1617786

ガラス光電変換モジュール上薄膜結晶シリコン製造時の歪変化測定

Measuring strain changes during production of thin film crystalline silicon on glass photovoltaic modules

著者 (2件)： BRAZIL Ian (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  GREEN Martin A. (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 21  号： 11  ページ： 1207-1212  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CSG solar(株)より取得したテストサンプルを使用して,ボロシリケートガラス上の薄膜結晶シリコンの歪測定を行った。ガラス上にPECVDでデポジットされたドープドアモルファスシリコン層(1.4μm)の試料は,固相結晶化(SPC)とそれに続く急速熱アニール(RTA)という製造上の二つの大きな熱処理を経ている。測定の結果,二つの工程間で大きな歪変化が認められた。固相結晶化後では-0.24%の高い圧縮残留歪だが,それに続くアニーリング後では1/4.7になって-0.051%に減少した。この原因は,高温アニーリングによってガラスの粘性が低下し,膜を歪の無い状態に緩和したことによると考えられる。ガラスを基板に使用した時にはRTAを歪軽減の手段として使えるが,高温での時間と冷却速度に注意を払わなければならない。

シソーラス用語： 歪 ,  *歪測定 ,  薄膜 ,  ケイ素 ,  *アモルファスシリコン ,  焼なまし ,  ガラス ,  モジュール ,  *結晶化
準シソーラス用語： アニーリング ,  シリコン ,  圧縮歪 ,  光電変換 ,  非晶質シリコン

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガラス ,  光電変換モジュール ,  薄膜 ,  結晶シリコン ,  歪変化