文献

J-GLOBAL ID：201002252981239417   整理番号：10A0674409

相互接続用のエアギャップ:実行する準備はできているか?

Air gaps for interconnects: ready to go?

著者 (2件)： BEYER Gerald (Marianna Pantouvaki) ,  TOKEI Zsolt (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 53  号： 6  ページ： 39-40  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細寸法配線による相互接続によりメタル線間の容量が増加し,遅延時間やクロストーク等による特性損失が発生する。1つの集積手法として,キャパシタンス低下の必要な部分のみエアギャップを生成させる選択性誘電体剥離技術が使われる。ダブルパターニング(DP)により35nmハーフピッチと酸化膜による単一ダマシン(Damascene)試験サイトを作成して実験した結果,エアギャップ場所は酸化膜場所に比べて50%容量が低下し,Cu配線間の漏れ電流は1桁低減した。エアギャップの誘電体信頼性はノンエアギャップ法より優れていると結論される。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *配線 ,  *回路パターン形成 ,  伝送損失 ,  クロストーク ,  遅れ ,  *間隙 ,  相互接続
準シソーラス用語： *ダマシン配線 ,  ダブルパターニング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相互接続 ,  エアギャップ