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J-GLOBAL ID：201002253002515383   整理番号：10A0402600

短波長検出のためのGaAsのヘテロ接合光トランジスタのスペクトル応答モデリング

Spectral response modelling of GaAs-based heterojunction phototransistors for short wavelength detection

著者 (2件)： KHAN H.A. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  REZAZADEH A.A. (Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名： IET Optoelectronics  (IET Optoelectronics)
巻： 4  号： 2  ページ： 57-63  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0058E  ISSN： 1751-8768  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これからの光トランジスタの設計最適化のためHPT(heterojunction phototransistor)のパラメータの解析が必要である。吸収モデルを提案しこれにより初めてGaAsによるHPTのSR(spectral response)および光特性のモデリングを行った。HPTの吸収モデルといくつかの重要なパラメータのクリティカルな解析結果によりデバイス最適化が可能となり,光受信機およびリモートセンシング応用分野の性能向上がはかれる。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *フォトトランジスタ ,  *応答 ,  *モデリング ,  最適設計 ,  解析 ,  受信機 ,  ヒ化ガリウム ,  光通信
準シソーラス用語： *スペクトル応答 ,  パラメータ解析 ,  吸収モデル ,  光受信機

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短波 ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  光トランジスタ ,  スペクトル応答 ,  モデリング