低温CVI(化学蒸気浸透)法を用いた無欠陥γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜上の高選択性シリカ膜調製

KOUTSONIKOLAS D.e.; KALDIS S.p.; SKLARI S.d.; PANTOLEONTOS G.; ZASPALIS V.t.; SAKELLAROPOULOS G.p.; SAKELLAROPOULOS G.p.; SAKELLAROPOULOS G.p.

文献

J-GLOBAL ID：201002253351544404 整理番号：10A0362739

低温CVI(化学蒸気浸透)法を用いた無欠陥γ-Al₂O₃膜上の高選択性シリカ膜調製

Preparation of highly selective silica membranes on defect-free γ-Al₂O₃ membranes using a low temperature CVI technique

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KOUTSONIKOLAS D.e.

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資料名：

Microporous and Mesoporous Materials (Microporous and Mesoporous Materials)

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巻： 132 号： 1-2 ページ： 276-281 発行年： 2010年07月
JST資料番号： E0642C ISSN： 1387-1811 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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孔サイズを小さくしガス分離性能を向上させるため,実験室製造γ-Al₂O₃膜に低温(250°C)CVI(化学蒸気浸透)法を適用した。He,H₂,N₂,CO₂,C₃H₈を用い,浸透と選択透過性の面から,改質前後の膜を特性化した。パームポロメトリー法により,膜の多孔性構造を研究した。γ-Al₂O₃膜は無欠陥で,狭い孔サイズ分布を持つが,Knudsen拡散機構の特徴である低選択透過性を示す。CVIシリカ膜の孔サイズは,250°C下,同時の浸透減少と顕著な選択透過性改善(H₂/N₂:27.8,H₂/CO₂:81,He/N₂:19.4,H₂/C₃H₈:>150)と共に,マイクロ多孔性系まで減った。ゾル-ゲルγ-Al₂O₃でのCVI法は,利用可能な封止法が使える低温(250°C)下のH₂選択性シリカ膜生成で有効な方法を提供した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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低温CVI(化学蒸気浸透)法を用いた無欠陥γ-Al2O3膜上の高選択性シリカ膜調製

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