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J-GLOBAL ID：201002253429179350   整理番号：10A0537241

制御された分子動力学による単結晶シリコンのヘルツ押込におけるリング亀裂発生のメカニズム

Mechanism of ring crack initiation in Hertz indentation of monocrystalline silicon analyzed by controlled molecular dynamics

著者 (3件)： INAMURA T. (Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, JPN) ,  SHISHIKURA Y. (Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, JPN) ,  TAKEZAWA N. (Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, JPN)
資料名： CIRP Annals. Manufacturing Technology  (CIRP Annals. Manufacturing Technology)
巻： 59  号： 1  ページ： 559-562  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0026A  ISSN： 0007-8506  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 既存欠陥の無い単結晶シリコンへのヘルツ接触押込(インデンテーション)におけるリング亀裂発生メカニズムを,制御された分子動力学を用いて解析した。リング亀裂の内部に発達するマイクロボイドは,外側(圧子とシリコンとの接触領域の外周部)に発生可能で,音波に関連して単結晶構造が多結晶構造へと局所的に変化する際の静的応力と動的応力に関連し,次の時点では静的応力は結晶粒界での交差滑りの要因となり,ついにはマイクロボイドの要因となる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *押込 ,  *亀裂発生 ,  接触応力 ,  接触問題 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  *損傷力学 ,  分子動力学 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： インデンテーション ,  Hertz接触 ,  *単結晶シリコン ,  表面工学

分類 (2件)： 破壊力学一般  (HC04010A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子動力学 ,  単結晶シリコン ,  ヘルツ ,  押込 ,  亀裂発生 ,  メカニズム