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J-GLOBAL ID:201002253513086588   整理番号:10A0582333

ポリイミド基板上の多結晶体PbSe

Polycrystalline PbSe on a polyimide substrate
著者 (5件):
資料名:
巻: 501  号:ページ: 6-13  発行年: 2010年07月02日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光伝導性IR検出器に用いられる鉛塩の膜に加えて,光起電力検出器に適切な多結晶体膜を探索する。本研究はPbSeに集中する,なぜならそれはHgCdTeよりもずっと低いAuger係数を示しPbTeと比較してもまだ低いからである。熱的および機械的安定性をもたらすために,著者らは膜堆積基板用に擬結晶体ポリイミドを選んだ。堆積プロセスにおける基板温度と,膜厚を操作するその時間に関して種々の状況を調べた。膜を構造的およびモルフォロジー的にキャラクタライズした。キャリアの型,それらの濃度と移動度を決定するために,Hall効果および電気伝導率を77~300Kの範囲で測定した。膜の光学的品質を推量するために300KにおけるIR反射および透過スペクトルを1~5.3μmの範囲で測定した。これらの様々なキャラクタリゼーションは良好な粒結晶性と相対的に小さい表面粗さを持つ膜を成長させるために最適な状況を見つけることを可能にした。光学的二相モデルを用いて,これらの膜の測定したIRスペクトルはいくらかの実効媒質複素屈折率,すなわちバルクPbSeに対するものとほぼ同一である抽出した実効バンドギャップエネルギー,に匹敵することを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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光伝導,光起電力 
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