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J-GLOBAL ID：201002253627679821   整理番号：10A0677592

KBiMS₄(M=Si,Ge): 合成,構造及び電子構造

KBiMS₄ (M=Si, Ge): Synthesis, structure, and electronic structure

著者 (7件)： MEI Dajiang (Key Lab. of Functional Crystals and Laser Technol., Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of ...) ,  MEI Dajiang (Graduate Univ. of Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  LIN Zheshuai (Key Lab. of Functional Crystals and Laser Technol., Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of ...) ,  BAI Lei (Key Lab. of Functional Crystals and Laser Technol., Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of ...) ,  YAO Jiyong (Key Lab. of Functional Crystals and Laser Technol., Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of ...) ,  FU Peizhen (Key Lab. of Functional Crystals and Laser Technol., Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of ...) ,  WU Yicheng (Key Lab. of Functional Crystals and Laser Technol., Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of ...)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 183  号： 7  ページ： 1640-1644  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの新しい硫化ビスマスKBiSiS₄及びKBiGeS₄を,反応的なフラックス法によって合成した。それらはRbBiSiS₄構造型を採用し,単斜晶系の空間群P2₁/cで結晶化した。₂^∞[BiMS₄^-](M=Si,Ge)層から成る構造は,二キャップされた三方晶系のプリズム的に配位されたK原子によって分離された。M原子は,4つのS原子に四面に配位され,Bi原子は,7つのS原子の歪曲された単キャップされた三方晶系のプリズムに配位された。KBiSiS₄の2.25(2)eVの光学的帯域ギャップを拡散反射スペクトルから推定した。帯状組織計算から,KBiSiS₄の光吸収は,₂^∞[BiMS₄^-]層に由来していた。Si 3p軌道,Bi 6p軌道及びS 3p軌道は,Fermi準位の付近で高度にハイブリッド化された。Kの軌道は,価電子帯の上部と伝導帯の底部のいずれに寄与していなかった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *硫化物 ,  *電子構造 ,  合成 ,  *結晶構造 ,  バンド構造 ,  Fermi準位 ,  ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  カリウム化合物

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： Ge ,  電子構造