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J-GLOBAL ID：201002253636369576   整理番号：10A0937185

MuGFETの相互コンダクタンスのγ線劣化に対するバックゲートバイアスとプロセス状態の影響

Influence of Back-Gate Bias and Process Conditions on the Gamma Degradation of the Transconductance of MuGFETs

著者 (9件)： PUT Sofie (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  SIMOEN Eddy (IMEC, Leuven, BEL) ,  COLLAERT Nadine (IMEC, Leuven, BEL) ,  DE KEERSGIETER An (IMEC, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Corneel (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Corneel (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN UFFELEN Marco (SCK・CEN, Mol, BEL) ,  LEROUX Paul (SCK・CEN, Mol, BEL) ,  LEROUX Paul (Katholieke Hogeschool Kempen, Geel)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 57  号： 4,Pt.1  ページ： 1771-1776  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *相互コンダクタンス ,  *劣化 ,  *γ線 ,  *バイアス ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： *MuGFET ,  *バックゲート

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MuGFET ,  相互コンダクタンス ,  γ線 ,  バック ,  ゲートバイアス ,  プロセス