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J-GLOBAL ID：201002253765105879   整理番号：10A0252783

格子整合AlInNの成長における自発的相分離に関する深さ分解解析

Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN

著者 (8件)： REDONDO-CUBERO A (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  REDONDO-CUBERO A (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  LORENZ K (Instituto Tecnologico e Nuclear, Sacavem, PRT) ,  GAGO R (CSIC, Madrid, ESP) ,  FRANCO N (Instituto Tecnologico e Nuclear, Sacavem, PRT) ,  DI FORTE POISSON M-A (Thales Res. & Technol./TIGER, Marcoussis, FRA) ,  ALVES E (Instituto Tecnologico e Nuclear, Sacavem, PRT) ,  MUNOZ E (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 5  ページ： 055406,1-5  発行年： 2010年02月10日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質ヘテロ構造のエピタキシャル成長に関する研究の一環として,本研究では,Al_1-xIn_xN/GaNヘテロ接合を格子整合条件(x≒0.18)近傍で成長させて,相分離を調べた。実験には,Rutherford後方散乱と高分解能X線回折とを用いた。その結果,1)エピタクシーの初期に,格子歪の小さい高品質単結晶薄膜の仮像成長が起こること,2)厚さ約50nmの成長後に,薄膜のInNモル分率が約15%に減少する臨界厚さに達し,それと同時に単結晶品質が劇的に劣化すること,が分かった。この自発的効果は,歪緩和機構に起因するのではないことを指摘した。

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  窒化ガリウム ,  格子整合 ,  相分離 ,  チャネリング ,  Rutherford後方散乱 ,  X線回折 ,  高分解能 ,  *エピタクシー ,  仮像 ,  格子歪 ,  結晶度
準シソーラス用語： *窒化インジウムアルミニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 格子整合 ,  成長 ,  相分離 ,  分解 ,  解析