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J-GLOBAL ID：201002253794843234   整理番号：10A1000796

第一原理による高密度SiH₄(H₂)₂の~100K超伝導の予測

Superconductivity at ~100K in dense SiH₄(H₂)₂ predicted by first principles

著者 (6件)： LI Yinwei (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  GAO Guoying (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  XIE Yu (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  MA Yanming (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  CUI Tian (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  ZOU Guangtian (Jilin Univ., Changchun, CHN)
資料名： Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America  (Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America)
巻： 107  号： 36  ページ： 15708-15711  発行年： 2010年09月07日 
JST資料番号： D0387A  ISSN： 0027-8424  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素高濃度物質の高温超伝導の可能性が動機となって,圧力範囲50~300GPaにおけるSiH₄(H₂)₂の高圧構造物について,遺伝的アルゴリズムを用いて広く検討した。興味深い層状斜方晶(Ccca)構造が,零点エネルギーを含めて248GPa以上でエネルギー的に安定であることが明らかになった。Ccca構造は金属的であり,配向秩序化H₂分子が層間挿入する水素共有SiH₈八面体層から成った。Allen-Dynesによる修正McMillan方程式を適応すると,250GPaで98~107Kの非常に高い超伝導温度が生じた。これは,フォノン媒介超伝導体についてこれまでの最高値であった。解析から,H₂とSiH₄分子間の高圧での直接相互作用が高温超伝導に主要な役割を演じH₂ビブロンからの寄与が小さい,独自な超伝導機構が明かになった。

シソーラス用語： 数値計算 ,  予測 ,  *第一原理 ,  ケイ素化合物 ,  *水素化合物 ,  水素 ,  分子 ,  水素化物 ,  遺伝的アルゴリズム ,  *高温超伝導体 ,  超伝導 ,  転移温度 ,  高圧 ,  結晶構造 ,  圧力効果 ,  斜方晶系 ,  配位数 ,  エンタルピー ,  バンド構造 ,  状態密度 ,  安定構造 ,  メタライゼーション ,  配向秩序 ,  インターカレーション ,  フォノン ,  機構 ,  八面体
準シソーラス用語： 媒介

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理 ,  SiH4 ,  H2 ,  超伝導 ,  予測