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J-GLOBAL ID：201002253802247484   整理番号：10A0867909

六方晶バリウムフェライト薄膜の強磁性共鳴に基づくミリ波移相器

Millimeter wave phase shifter based on ferromagnetic resonance in a hexagonal barium ferrite thin film

著者 (8件)： WANG Zihui (Dep. of Physics, Colorado State Univ., Fort Collins, Colorado 80523, USA) ,  SONG Young-yeal (Dep. of Physics, Colorado State Univ., Fort Collins, Colorado 80523, USA) ,  SUN Yiyan (Dep. of Physics, Colorado State Univ., Fort Collins, Colorado 80523, USA) ,  BEVIVINO Joshua (Dep. of Physics, Colorado State Univ., Fort Collins, Colorado 80523, USA) ,  WU Mingzhong (Dep. of Physics, Colorado State Univ., Fort Collins, Colorado 80523, USA) ,  VEERAKUMAR V. (Dep. of Physics, Univ. of Colorado at Colorado Springs, Colorado Springs, Colorado 80933, USA) ,  FAL Timothy J. (Dep. of Physics, Univ. of Colorado at Colorado Springs, Colorado Springs, Colorado 80933, USA) ,  CAMLEY Robert E. (Dep. of Physics, Univ. of Colorado at Colorado Springs, Colorado Springs, Colorado 80933, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 7  ページ： 072509  発行年： 2010年08月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶フェライト薄膜ベースの平面ミリ波移相器について報告した。素子は,パルスレーザ蒸着法により作製したM型バリウムフェライト(BaM)薄膜とコプレーナ導波路配置を用いて構成した。位相同調には,BaM膜の強磁性共鳴を利用した。素子は,オン共鳴状態で43°/(mmkOe)の位相同調率と,3.1dB/mmの挿入損を有した。オフ共鳴状態では,素子の損失と同調率は共にもっと小さくなった。実験結果を理論計算によって確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  鉄化合物 ,  酸化物 ,  六方晶系 ,  *フェライト ,  磁性薄膜 ,  レーザ蒸着 ,  コプレーナ導波路 ,  *移相器 ,  強磁性共鳴 ,  曲線 ,  EHF波 ,  位相シフト ,  透過率 ,  周波数 ,  磁場 ,  依存性 ,  比率 ,  挿入損 ,  実験 ,  計算 ,  理論 ,  マイクロ波測定 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  ミリ波 ,  磁気デバイス ,  同調率

分類 (1件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六方晶 ,  バリウムフェライト ,  薄膜 ,  強磁性共鳴 ,  ミリ波移相器