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J-GLOBAL ID：201002253895670314   整理番号：10A0831098

スプレイ熱分解によるインジウムドープCdS_0.2Se_0.8薄膜の調製とキャラクタリゼーション

Preparation and characterization of indium doped CdS_0.2Se_0.8 thin films by spray pyrolysis

著者 (2件)： YADAV A.a. (Thin Film Physics Lab., Dep. of Physics, Electronics and Photonics, Rajarshi Shahu Mahavidyalaya, Latur 413512 ...) ,  MASUMDAR E.u. (Thin Film Physics Lab., Dep. of Physics, Electronics and Photonics, Rajarshi Shahu Mahavidyalaya, Latur 413512 ...)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 45  号： 10  ページ： 1455-1459  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS_0.2Se_0.8及びインジウムドープCdS_0.2Se_0.8薄膜をスプレイ熱分解により非晶質ガラス及びフッ素ドープ酸化スズ被覆ガラス基板上に蒸着した。インジウムのドーピング濃度を光電気化学キャラクタリゼーション法で最適化した。CdS_0.2Se_0.8及びインジウムドープCdS_0.2Se_0.8薄膜の構造,表面形態,光学的及び電気的性質を調べた。X線回折研究から,薄膜は本質的に六方晶系結晶構造をもつ多結晶であることが分かった。走査電子顕微鏡から,結晶粒は均質であり,球形むらで全基板表面に分布した。全表面形態はドーピングで変化した。光学的研究において,蒸着薄膜の遷移は直接許容であり,インジウムドーピングにより光学エネルギーギャップは1.91から1.67eVに減少することが分かった。電気抵抗率測定で半導体挙動が観察された。熱起電力測定から,薄膜はN型導電性を示すことが分かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カドミウム化合物 ,  *硫化物 ,  *セレン化物 ,  置換型固溶体 ,  *インジウム ,  ドーピング ,  添加物効果 ,  化学合成 ,  熱分解 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  *結晶構造 ,  六方晶系 ,  多形 ,  *表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  電気抵抗率 ,  *化合物半導体 ,  熱起電力 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： スプレー熱分解 ,  *表面形態

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： スプレイ熱分解 ,  インジウム ,  ドープ ,  薄膜 ,  調製 ,  キャラクタリゼーション