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J-GLOBAL ID：201002253934193499   整理番号：10A0461373

波長可変InGaAs被覆量子ドット赤外光検出器

Wavelength-Tunable InGaAs-Capped Quantum-Dot Infrared Photodetectors

著者 (8件)： LIN Wei-Hsun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Chi-Che (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Kuang-Ping (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  MAI Shu-Cheng (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN) ,  WU Meng-Chyi (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 22  号： 1/4  ページ： 227-229  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,InGaAs被覆層をもつ10周期量子ドット赤外光検出器(QDIP)を調べた。2.5単層InAsQDをもつ標準QDIPの検出波長6μmと比較して,InGaAs被覆QDIPの付加8nmInGaAs挿入により検出波長は7.9μmにシフトした。InGaAs被覆QOIPの中波長赤外(MWIR)から長波長赤外(LWIR)範囲の可変検出波長を達成した。LWIR応答を達成するために,QDサイズを減少することによるQD励起状態の起動および被覆層厚み増大によるInGaAs状態の低減の2つの異なったアプローチを行い双方とも有効であることを示した。InGaAs被覆QPIDの検出波長を,6~10μmまで容易に可変できた。デバイスの高い応答性により,より簡単なInGaAs被覆QD構造を大きな歪み蓄積無しに容易に作成できることを実証した。

シソーラス用語： 可変性 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  量子ドット ,  赤外線 ,  *光検出器 ,  ヒ化インジウム ,  波長 ,  被覆層 ,  応答特性 ,  歪
準シソーラス用語： InAs ,  InGaAs ,  *波長可変

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 波長可変 ,  InGaAs ,  量子ドット ,  赤外光 ,  検出器