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J-GLOBAL ID：201002254013217380   整理番号：10A0375079

アルミニウム誘起結晶化による多結晶シリコンゲルマニウム薄膜

Polycrystalline silicon germanium thin films prepared by aluminum-induced crystallization

著者 (4件)： IWASA Takehiro (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  KANEKO Tetsuya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA Isao (Tokyo Metropolitan Industrial Technol. Res. Inst. (TIRI), Tokyo, JPN) ,  ISOMURA Masao (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 3  ページ： 617-620  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム(Al)とa-SiGeから成る二層構造をベースに,Al-Ge系の共晶温度(420°C)又はさらに高温で,アモルファスシリコン-ゲルマニウム(a-SiGe)をアルミニウム誘起結晶化(AIC)をさせた。420°CのAIC後のエネルギー分散X線分光分析(EDX)測定の結果,結晶化した島状構造のSiGe合金とこれらの島状構造の間にAlが存在することが明らかになった。島状構造領域で層交換を確認した。450°CのAICでは,同様の島状構造を認めたが,GeがAlと共存する場合があり,またSiGeの層交換は不完全であった。他方,500°CのAICでは,SiとGeが分離することが,EDX,Raman及びXRD測定から分かった。これは恐らく共晶によってSiGeからのGeの偏析が促進されたものである。共晶温度以上の温度によるアニールはa-SiGeのAICにとって適切ではないことが分かった。

シソーラス用語： ケイ素合金 ,  *結晶化 ,  多結晶 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  島状構造 ,  *X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  深さ分布 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム合金 ,  共晶系 ,  *金属誘起結晶化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルミニウム ,  誘起 ,  結晶化 ,  多結晶シリコン ,  ゲルマニウム ,  薄膜