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J-GLOBAL ID：201002254027855959   整理番号：10A0978284

フルバンドモンテカルロシミュレーションに基づく高電圧トランジスタの最悪ケースホットキャリア条件の解析

Analysis of Worst-Case Hot-Carrier Conditions for High Voltage Transistors Based on Full-Band Monte-Carlo Simulations

著者 (15件)： STARKOV I. A. (TU Wien, Vienna, AUT) ,  TYAGINOV S. E. (TU Wien, Vienna, AUT) ,  TYAGINOV S. E. (A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St.-Petersburg, RUS) ,  TRIEBL O. (TU Wien, Vienna, AUT) ,  CERVENKA J. (TU Wien, Vienna, AUT) ,  JUNGEMANN C. (Bundeswehr Univ., Munich, DEU) ,  CARNIELLO S. (Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  PARK J. M. (Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  ENICHLMAIR H. (Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  KARNER M. (Global TCAD Solutions, Vienna, AUT) ,  KERNSTOCK Ch. (Global TCAD Solutions, Vienna, AUT) ,  SEEBACHER E. (Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  MINIXHOFER R. (Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  CERIC H. (TU Wien, Vienna, AUT) ,  GRASSER T. (TU Wien, Vienna, AUT)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 135-140  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フルバンドモンテカルロ素子シミュレータによるキャリア(HC)分布関数の計算に基づく,ホットキャリア劣化物理モデルを用いて,比較的低電圧(LV)のn-MOSFETと高電圧(HV)p-LDMOSの2型の素子の最悪ケース条件(WCC)について解析した。Si-H結合破壊の単粒子(SP)と多粒子機構を,その分布関数(DF)により制御するキャリア加速積分と確実に結合することができた。その被積分関数構造は,分布関数が急減衰する高エネルギーテイル(尾部)の重畳および捕獲断面積,キャリア速度と状態密度の組合せの急増を含んだ。このため,積分の最大値は,DFが最深の高エネルギーテイルを示す位置に対しシフトした。HC劣化のWCCの解析に,DFの高エネルギーテイルの境界エネルギー,SPプロセス率を与える加速積分と全劣化量の数基準を用い,これらの量をストレスソース/ドレイン電圧(V_ds)とゲート電圧(V_gs)に対しマッピングした。これらのマップを解析することにより,n-MOSFETでは,0.4V_ds<V_gs<0.5V_dsの電圧間相関関係を満たす場合,WCCが実現されるが,p-LDMOSでは,最も深刻なHC劣化は最大ゲート電流に対応した。この詳細な結果は,文献に発表されたHC劣化WCCに関する実験結果および経験的概念と一致した。

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  シミュレーション ,  *MOSFET ,  *高電圧 ,  *ホットキャリア ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *劣化 ,  エネルギー分布 ,  分布関数 ,  表面準位 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： LDMOS

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  トランジスタ ,  ホットキャリア ,  解析