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J-GLOBAL ID：201002254190651651   整理番号：10A0602758

きわめて長いGaAsナノワイヤの高速成長合成

Fast Growth Synthesis of GaAs Nanowires with Exceptional Length

著者 (20件)： RAMDANI M. R. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  RAMDANI M. R. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  GIL E. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  GIL E. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  LEROUX Ch. (Univ. du Sud Toulon-Var, La Garde, FRA) ,  LEROUX Ch. (UMR 6242, CNRS, La Garde, FRA) ,  ANDRE Y. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  ANDRE Y. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  TRASSOUDAINE A. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  TRASSOUDAINE A. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  CASTELLUCI D. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  CASTELLUCI D. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  BIDEUX L. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  BIDEUX L. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  MONIER G. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  MONIER G. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  ROBERT-GOUMET C. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  ROBERT-GOUMET C. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  KUPKA R. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  KUPKA R. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 5  ページ： 1836-1841  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルシンおよびその場発生させたGaClを前駆体としてヒドリド気相エピタクシー(HVPE)環境下に金触媒VLS機構によりGaAsナノワイヤを成長させた。走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡,高分解能電子顕微鏡,電子回折によりキャラクタリゼーションを行った。15分で40μmのきわめて長い<111>単結晶ナノワイヤが高密度成長(10⁶本/cm²基板)できる。Au-Ga液相に取り込まれたGaClが急速に分解して速い固化(170μm・h)に必要なガリウムを供給する。固液界面界面の物質供給および速度障壁が存在しないので軸方向成長が支配的となり,ナノワイヤ径は一定に維持される。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  アルシン ,  塩化ガリウム ,  *エピタクシー ,  単結晶 ,  成長速度
準シソーラス用語： *HVPE ,  VLS機構 ,  VPE成長 ,  金触媒

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  塩  (CD01050V) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  成長