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J-GLOBAL ID：201002254276119545   整理番号：10A0774945

荷電輸送機構およびAu/ZnPc/N-Si構造の電気的パラメータに及ぼす素子温度の効果

Charge Transport Mechanism and the Effects of Device Temperature on Electrical Parameters of Au/ZnPc/N-Si Structures

著者 (3件)： HUSSAIN A. (COMSATS Inst. Information Technol., Islamabad, PAK) ,  AKHTER P. (Pakistan Council of Renewable Energy Technol., Islamabad, PAK) ,  BHATTI A. S. (COMSATS Inst. Information Technol., Islamabad, PAK)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 442  ページ： 372-380  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,有機界面層と接するAu/ZnPc/N-Si半導体を創製し,その接合および荷電輸送特性を作成した電流-電圧-温度(I-V-T)図上で検討した。素子温度と接合パラメータ,すなわちn(ダイオード理想因子),Φ_b(障壁高さ),およびR_s(直列抵抗)との関係を調べた。その結果,次の事が明らかになった。1)素子温度上昇につれてnおよびΦ_bが増加し,R_sが低下する,2)荷電輸送の活性化エネルギーは44meVで,界面状態エネルギー分布曲線はEss-Ev値に関して素子温度上昇につれて0.582eVから0.776eVにシフトする,3)データ解析結果から,有機界面層のFermi準位は素子温度が283Kから343Kの範囲で素子温度の関数として100meVシフトする。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *ケイ素 ,  *N型半導体 ,  半導体金属接合 ,  Schottky障壁 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  *半導体素子 ,  *電気伝導 ,  Poole-Frenkel効果 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： ショットキー接合 ,  荷電輸送 ,  直列抵抗 ,  理想因子

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： フタロシアニン亜鉛

タイトルに関連する用語 (4件)： 荷電輸送 ,  Au ,  Si ,  パラメータ