文献

J-GLOBAL ID：201002254340675384   整理番号：10A1012644

液晶素子における5°SiO_xアラインメント膜のイオン捕獲効果

The ion capturing effect of 5° SiO_x alignment films in liquid crystal devices

著者 (3件)： HUANG Yi (Liquid Crystal Inst., Kent State Univ., Kent, Ohio 44240, USA) ,  BOS Philip J. (Liquid Crystal Inst., Kent State Univ., Kent, Ohio 44240, USA) ,  BHOWMIK Achintya (Intel Corp., 2200 Mission Coll. Blvd, Santa Clara, California 95054, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 6  ページ： 064502  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液晶セルの内表面に5°で堆積したSiO_xが,液晶素子のイオン濃度における驚くべき大きな低下を可能にすることを示した。この効果を研究し,この型の膜が,その表面形態により,液晶材料からイオンを捕獲することを見出した。5°SiO_x膜上のイオン吸着は,Langmuir等温線に従った。示した実験結果は,これらの膜のイオン捕獲容量が10000/μm²のオーダー以上であるという推定を可能にした。これらの型の材料は,電子書籍のような新しい型の非常に低い電力の液晶装置に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 液晶ディスプレイ ,  *酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  *アラインメント ,  イオントラッピング ,  表面構造 ,  イオン濃度
準シソーラス用語： *液晶セル ,  *イオン捕獲 ,  表面形態 ,  イオン吸着 ,  Langmuir吸着等温式

分類 (2件)： 液晶一般  (BK03010L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 液晶素子 ,  アラインメント膜 ,  イオン捕獲